Samsung suena a muerte para discos duros con 4 TB QLC SSD

Samsung suena a muerte para discos duros con 4 TB QLC SSD
Hace poco más de una década, Samsung anunció la inminente llegada de las primeras computadoras portátiles con almacenamiento flash NAND de 32 GB . Ahora, la compañía está preparada para sacudir el árbol de almacenamiento nuevamente a medida que entra en la producción en masa de la primera unidad de estado sólido SATA de 4 TB a nivel de consumidor de 4 bits, lo que indica un posible punto de inflexión para el almacenamiento doméstico de alta capacidad.

La tecnología de almacenamiento flash de celdas de nivel cuádruple (QLC) aumenta la capacidad de bit por celda de los tres bits actuales a los cuatro, y Samsung espera que el desarrollo agite la industria del almacenamiento.

«El nuevo SSD SATA de 4 bits de Samsung anunciará un movimiento masivo hacia los SSD de terabyte para los consumidores», dijo Jaesoo Han de Samsung. «A medida que expandimos nuestra línea de productos a través de segmentos de consumidores y para la empresa, los productos de 4 bits de SSD de Terabyte se expandirán rápidamente por todo el mercado».

La compañía dice que cuando los datos almacenados en una celda de memoria se incrementan de tres a cuatro bits, mantener el rendimiento y la velocidad óptimos se vuelve «considerablemente más difícil». Pero Samsung reconoce que al usar un controlador SSD de 3 bits, la tecnología TurboWrite y utilizar 32 chips V-NAND de 64 capas de cuarta generación, el nuevo SSD SATA QLC de 4 TB no sufre tal caída de rendimiento.

Como resultado, la velocidad de lectura secuencial se da como 540 MB /s y la escritura secuencial como 520 MB / s, aunque aún no se han revelado cifras de lectura / escritura aleatorias.

¿Indica este desarrollo la rápida desaparición de los HDD de gran capacidad? Probablemente no, todavía. El precio podría ser la chispa que desencadena la revolución del almacenamiento, pero en este momento Samsung no está revelando esa información vital.

Se espera que la nueva unidad de 4 TB se una a las variantes de 4 bits de 1 TB, 2 TB y 4 TB de 2,5 pulgadas más adelante en el año, con las variantes Enterprise M.2 NVMe también en la tubería. Y Samsung predice que su nuevo chip V-NAND de 4 bits y 1 terabit permitirá a la compañía producir memoria de gran capacidad para teléfonos inteligentes también.

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